Дисертації

Головинський С.Л.

26.03.2012

Оптичні переходи і механізм фотопровідності в гетероструктурах InxGa1-xAs/GaAs та Si1-xGex/Si з наноострівцями.
к.ф.-м.н.

У спектрах фотопровідності структур типу І виявлено смуги, обумовлені дефектними станами інтерфейсу та квантовими станами наноострівців. У дослідах з кінетики фотопровідності виявлено довготривалу складову і її супутницю – термостимульовану провідність. Методом термостимульованої провідності досліджено оптичні властивості глибоких дефектних станів та їхній енергетичний спектр. Теоретично описані форма спектрів фотолюмінесценції і фотопровідності та кінетика фотоструму і температурні залежності латерального фотоструму.
Встановлено, що в спектрах фотопровідності структур типу ІІ спостерігались непрямі в просторі переходи електронів з локалізованих станів валентної зони острівців у локалізовані стани зони провідності кремнієвого оточення та переходи між локалізованими станами валентної зони наноострівців та міжпідзонні переходи дірок з локалізованих станів валентної зони острівців у стани валентної зони змочувального шару та кремнієвого оточення.
Ключові слова. Гетероструктури, наноострівці, квантові точки, фотопровідність, фотолюмінесценція, термостимульована провідність, темновий струм.

Комментариев нет
Запись опубликована 26.03.2012 в 11:47 am. Рубрики: Дисертації. Вы можете следить за обсуждением данной записи через RSS. Вы можете оставить комментарий или трекбек.

Оставить комментарий:

Вы должны быть авторизованы для того, чтобы иметь возможность оставлять комментарии.