Стаціонарні стани радіаційної повзучості при наявності комплексів дефектів.
01.04.07 – фізика твердого тіла
к.ф.-м.н
В межах моделі ковзання дислокацій, лімітованого їх переповзанням теоретично досліджена динаміка зміни повзучості матеріалів під опроміненням. Враховано, що при ковзанні дислокацій генеруються вакансії. Встановлено всі якісно різні режими перехідної повзучості. Визначена їх стійкість і критерій появи декількох встановлених режимів, побудована діаграма станів і відповідні фазові портрети. Показано, що невстановлена повзучість, в залежності від умов опромінення і стану матеріалу безпосередньо перед початком його опромінення, прямує до одного із встановлених станів. Знайдені можливі переходи між ними та умови, при яких вони відбуваються. Встановлено як при цьому змінюється швидкість повзучості.
Розглянуто вплив утворення комплексів атом домішки – точковий дефект на температурну залежність стаціонарної швидкості повзучості. Встановлено, що стаціонарне значення швидкості повзучості зменшується зі збільшенням кількості домішок в матеріалі і зростанням енергії зв’язку комплексів, а її мінімальне значення (рівне нулю) спостерігається при більш низьких температурах.
Ключові слова: опромінення, повзучість, дефекти, нелінійні зв’язки, температурна залежність, комплексоутворення.
Фізичний факультет
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Дисертації
22.04.2013
Запись опубликована 22.04.2013 в 12:20 pm. Рубрики: Дисертації. Вы можете следить за обсуждением данной записи через RSS.
Вы можете оставить комментарий или трекбек.



Оставить комментарий:
Вы должны быть авторизованы для того, чтобы иметь возможность оставлять комментарии.